Бийский технологический институт (филиал) ФГБОУ ВО «Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова»

ПРИЕМНАЯ КОМИССИЯ+7 (3854) 43-22-55
+7-963-507-51-13
ПРИЕМНАЯ ДИРЕКТОРА+7 (3854) 43-22-85
info@bti.secna.ru
Главная / Новости / Бийский технологический институт – альма-матер прикладной науки в наукограде

Бийский технологический институт – альма-матер прикладной науки в наукограде
200

Бийский технологический институт сегодня – современный ВУЗ, ведущий подготовку специалистов на основе передовых научных исследований в области химии и химических технологий, механики и приборостроения, биотехнологий и экономики.

В год 60-летия Бийского технологического института мы ставим перед собой большие задачи в области развития научных исследований, увеличения объемов финансирования, расширения географии и материально-технической базы и, главное, – формирования новых научных коллективов и научных школ, способных успешно решать самые сложные задачи.

Сегодня наши ученые создают новые полимерные и высокоэнергетические материалы, системы пожарной сигнализации, ультразвуковые аппараты, новые удобрения и продукты питания, решают проблемы экономики, строительства и транспорта.

Основным критерием востребованности государством проводимых нами исследований является финансирование этих исследований, получаемое от Министерства науки и высшего образования и из различных фондов.

В этом году исследование «Разработка научно-технических основ и аппаратурного оформления процесса тонкой очистки газов методами высокоинтенсивных ультразвуковых воздействий» финансируется в рамках Гранта Президента РФ для поддержки молодых докторов наук (Шалунов А.В.), а исследование «Разработка научных основ управления свойствами полимеров при помощи кавитационно-акустического воздействия для создания технологии производства высокопрочных материалов различного назначения» – в рамках Гранта Президента РФ по поддержки кандидатов наук (Голых Р.Н.).

Коллектив спецфакультета нашего института под руководством Петрова Е.А. второй год проводит исследования по Гранту РФФИ на выполнение проектов междисциплинарных фундаментальных исследований по теме «Углеродные наноструктурированные материалы».

Уже третий год успешно выполняются работы по грантам РФФИ, направленным на создание новых медицинских приборов (Хмелев В.Н.) и систем пожарной сигнализации (Галенко Ю.А.). Исследования, направленные на создание систем пожарной сигнализации также финансируются в рамках Гранта РФФИ «Мой первый грант» (Тупикина Н.Ю.).

В 2019 году впервые в истории БТИ АлтГТУ получено финансирование на выполнение Гранта Российского научного фонда по направлению «Проведение инициативных исследований молодыми учеными Президентской программы исследовательских проектов». Этот проект будет выполняться большим коллективом студентов и магистрантов под руководством доцента кафедры МСИА Голых Р.Н.

Юбилейный для нашего института год ознаменовался завоеванием Гранта РФФИ для проведения международных научных исследований (Грант РФФИ Китай) по теме «Исследование и разработка физических принципов ультразвукового бурения поверхности внеземных объектов и планет». Научные исследования будут проводиться совместно с Харбинским университетом в течение двух лет.

Особенное значение в юбилейный для нашего института год имеет Грант РФФИ в области экономических исследований по теме «Факторы территориальной лояльности жителей сельских поселений (на примере Алтайского края)», полученный коллективом под руководством Натальи Викторовны Волковой.

Кроме финансирования в рамках государственных фондов наши исследования поддержаны финансированием в рамках двух Региональных грантов (совместный грант РФФИ – Алтай) (Шалунов А.В., Нестеров В.А.).

Общий объем финансируемых Государством и различными Фондами научных исследований Бийского технологического института в 2018 году превысил 11 миллионов рублей.

Поддержка наших исследований Грантами Президента РФ, Всероссийскими и Региональными фондами – результат совместного труда ученых старшего поколения и молодежи, которая находит в стенах нашего института возможности для своего научного роста и развития.




Понравилась статья? Поделитесь с друзьями